STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 38 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-varenummer:
- 485-7658
- Producentens varenummer:
- STP45NF06
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 80,34
(ekskl. moms)
Kr. 100,425
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 16,068 | Kr. 80,34 |
| 10 - 20 | Kr. 14,482 | Kr. 72,41 |
| 25 - 95 | Kr. 13,794 | Kr. 68,97 |
| 100 - 495 | Kr. 10,248 | Kr. 51,24 |
| 500 + | Kr. 8,736 | Kr. 43,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 485-7658
- Producentens varenummer:
- STP45NF06
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.15mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.15mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .