STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 485-7692P
- Producentens varenummer:
- STP4NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 167,10
(ekskl. moms)
Kr. 208,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 130 enhed(er) afsendes fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 20 | Kr. 16,71 |
| 25 - 95 | Kr. 15,812 |
| 100 - 495 | Kr. 12,298 |
| 500 + | Kr. 10,352 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 485-7692P
- Producentens varenummer:
- STP4NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.15mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.15mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||