STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-varenummer:
- 485-7844P
- Producentens varenummer:
- STP75NF75
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 119,70
(ekskl. moms)
Kr. 149,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 175 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 09. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 11,97 |
| 100 - 499 | Kr. 9,57 |
| 500 + | Kr. 7,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 485-7844P
- Producentens varenummer:
- STP75NF75
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | STripFET II | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 117nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.15mm | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie STripFET II | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 117nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.15mm | ||
Bredde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .