STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 10.5 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 486-3085
- Producentens varenummer:
- STW12NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme 29%
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 34,71
(ekskl. moms)
Kr. 43,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 34,71 | - |
| 10 - 99 | Kr. 24,40 | 29% |
| 100 + | Kr. 19,09 | 45% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 486-3085
- Producentens varenummer:
- STW12NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 750mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 87nC | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 750mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 87nC | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 10.5 A 800 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 9 A 800 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 3.5 A 1 kV Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 17.5 A 950 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 8.3 A 1 kV Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH