STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 486-3114
- Producentens varenummer:
- STW20NK50Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 32,39
(ekskl. moms)
Kr. 40,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 108 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 32,39 |
| 10 - 24 | Kr. 29,25 |
| 25 - 99 | Kr. 27,68 |
| 100 - 499 | Kr. 21,92 |
| 500 + | Kr. 19,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 486-3114
- Producentens varenummer:
- STW20NK50Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 270mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 85nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 270mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 85nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17.5 A 950 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8.3 A 1 kV Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9.2 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 900 V Forbedring TO-247 SuperMESH