Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 10 A 400 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF740
- RS-varenummer:
- 541-0020
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-835
- Producentens varenummer:
- IRF740PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 17,05
(ekskl. moms)
Kr. 21,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 39 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 289 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 17,05 |
| 10 - 49 | Kr. 14,96 |
| 50 - 99 | Kr. 14,29 |
| 100 - 249 | Kr. 13,39 |
| 250 + | Kr. 12,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-0020
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-835
- Producentens varenummer:
- IRF740PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF740 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 550mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.01mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF740 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 550mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.01mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4.7mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF740 seriens Power MOSFET, 400 V drain source spænding, 10 A kontinuerlig drain strøm - IRF740PBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalforbedringsenhed, der er designet til brug i industrielle koblings- og strømstyringskredsløb. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående huller, der er velegnet til samlinger, hvor der kræves robust montering og nem varmeafledning. Enheden er beregnet til anvendelser, der kræver vedvarende strømhåndtering og høj spændingstolerance.
Egenskaber og fordele:
• 400 V drain-source mærkeværdi til højspændingsswitching-anvendelser • 10 A kontinuerlig afløbsstrøm til understøttelse af moderate effektbelastninger • 125 W effekttab for pålidelig termisk ydeevne • 550 mΩ RDS(on) muliggør effektiv ledning i koblingsroller • 63 nC typisk gate-opladning til at informere om drevkravene • 20 V maksimal gate-source-spænding for gate-drive-margin
Anvendelser
• Velegnet til primær omskiftning af switch-mode strømforsyning • Ideel til motorstyrte invertertrin i automatiseringssystemer • Anvendes til højspændingsstrømomformere i industrielt udstyr • Kan bruges til strømstyring i test- og måleplader
Hvilken monteringsmetode kræver enheden til varmestyring?
Det er en gennemgående hulkomponent i en TO-220AB-pakke, der giver mulighed for direkte fastgørelse til køleelementer ved hjælp af et befæstelseselement og isolerende hardware, hvis det er nødvendigt.
Hvilke ekstreme temperaturer kan den tolerere under drift?
Enheden er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket gør den velegnet til en lang række miljøforhold.
Hvad skal der tages hensyn til ved design af gate-drevet?
Den maksimale gate-source-spænding er 20 V, og den typiske gate-opladning er 63 nC ved VGS, så driveren skal levere tilstrækkelig opladning og overholde 20 V-grænsen for at undgå portoverspænding.
Er enheden i overensstemmelse med almindelige miljømaterialestandarder?
Komponenten er i overensstemmelse med RoHS-direktiver om begrænsede farlige stoffer.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 28 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF