Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 3.1 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFBG30

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 282,70

(ekskl. moms)

Kr. 353,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
10 - 49Kr. 28,27
50 +Kr. 26,11

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
541-1146P
Producentens varenummer:
IRFBG30PBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.1A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Serie

IRFBG30

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

9.01mm

Bredde

4.7mm

Længde

10.41mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRFBG30 seriens Power MOSFET, 1000 V drain source spænding, 3,1 A kontinuerlig drain strøm - IRFBG30PBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalenhed, der er beregnet til koblings- og strømstyringsroller i industriel elektronik. Det er en gennemgående komponent, der leveres i en TO-220AB-pakke, der er designet til anvendelser, der kræver betydelig strømhåndtering og høj drain-til-kilde-spændingskapacitet.

Egenskaber og fordele:


• 1000 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 3,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 125 W effekttab muliggør forhøjet effekthåndtering
• 5 Ω maks. Rds minimerer ledningstab under belastning
• 80 nC typisk portladning giver mulighed for forudsigelig portdrevstørrelse
• Maksimal driftstemperatur på 150 °C understøtter miljøer med høj varme

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømomformere i automatiseringssystemer
• Ideel til motordrev i elektrisk udstyr
• Anvendes til industriel omskiftning i styreenheder
• Kan bruges til beskyttelseskredsløb, der kræver høje Vds
• Anvendes med diskrete effekttrin i mekaniske aktiveringssystemer

Hvilken gate-drevmargin er tilladt for sikker drift?


Enheden kan tåle gate-source-spændinger op til 20 V, så design gate-drivere til at fungere inden for dette område.

Hvordan påvirker emballagen termisk styring?


TO-220AB-pakken med gennemgående hul giver mulighed for direkte varmeafledning for at styre 125 W tab under passende monterings- og køleforhold.

Hvilket omgivelsestemperaturområde kan den modstå?


Den fungerer pålideligt mellem -55 °C og 150 °C og passer til brede industrielle temperaturekstremer.

Hvilken benkonfiguration skal designere forvente?


Komponenten er en trebenet enhed med gennemgående hul, der er kompatibel med standard printkortlayouter til diskrete strømkomponenter.

Relaterede links