Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 5 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF830A
- RS-varenummer:
- 542-9434
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-16-197
- Producentens varenummer:
- IRF830APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 22,41
(ekskl. moms)
Kr. 28,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 24 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
- Plus 274 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
- Plus 615 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 22,41 |
| 10 - 49 | Kr. 20,17 |
| 50 + | Kr. 18,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 542-9434
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-16-197
- Producentens varenummer:
- IRF830APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | IRF830A | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie IRF830A | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4.7mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF830A seriens Power MOSFET, 500 V drain source-spænding, 5 A kontinuerlig drain-strøm - IRF830APBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industriel og kommerciel elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde til krævende miljøer og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul til nem montering og termisk styring.
Egenskaber og fordele:
• 500 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 1.4 Ω maks. Rds reducerer ledningstab under belastning
• 5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter design med moderat strøm
• 74 W maks. effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 24 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteydeevne
• 30 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener
• 1.4 Ω maks. Rds reducerer ledningstab under belastning
• 5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter design med moderat strøm
• 74 W maks. effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 24 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skifteydeevne
• 30 V gate-tolerance muliggør robuste gate-drevmargener
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning af højspændingsforsyning i invertere
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes sammen med diskrete strømforsyninger i laboratorieudstyr
• Kan bruges til resistiv og induktiv belastningsswitching
• Velegnet til hullede prototype- og reparationsprojekter
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes sammen med diskrete strømforsyninger i laboratorieudstyr
• Kan bruges til resistiv og induktiv belastningsswitching
• Velegnet til hullede prototype- og reparationsprojekter
Hvilke hensyn skal der tages til den termiske ydeevne, når den bruges?
Termisk styring skal tage hensyn til den nominelle tabsstyrke på 74 W
et passende kølelegeme og korrekt montering i TO-220AB-retningen opretholder forbindelsestemperaturer inden for sikre grænser.
Hvordan påvirker gate-drevet skifteadfærden?
Med en typisk gate-ladning på 24 nC og en maksimal Vgs på 30 V skal gate-drive-kredsløb være dimensioneret til at give tilstrækkelig strøm til de ønskede stignings- og faldtider, samtidig med at gate-spændingen holdes under den angivne grænse.
Hvilke miljøgrænser definerer driftsområdet?
Enheden er normeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, så systemdesign bør sikre, at omgivende og termiske modstandsværdier holder forbindelsestemperaturen inden for dette område.
Er den velegnet til design i bilkvalitet?
Den er ikke klassificeret som bilkvalitet
Designere bør overveje bil-specifikke alternativer, når der kræves kvalifikationer på køretøjsniveau.