Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.3 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRF
- RS-varenummer:
- 543-0046
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-14-986
- Producentens varenummer:
- IRF610PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 7,48
(ekskl. moms)
Kr. 9,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 234 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 95 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 7,48 |
| 10 - 49 | Kr. 7,11 |
| 50 - 99 | Kr. 5,24 |
| 100 - 249 | Kr. 4,86 |
| 250 + | Kr. 4,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-0046
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-14-986
- Producentens varenummer:
- IRF610PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | IRF | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie IRF | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 28 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF