DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 600 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, E-Line AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 669-7717
- Producentens varenummer:
- ZVN4206ASTZ
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 66,35
(ekskl. moms)
Kr. 82,94
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.340 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | Kr. 6,635 | Kr. 66,35 |
| 30 - 90 | Kr. 5,827 | Kr. 58,27 |
| 100 - 490 | Kr. 5,70 | Kr. 57,00 |
| 500 - 990 | Kr. 5,535 | Kr. 55,35 |
| 1000 + | Kr. 5,386 | Kr. 53,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 669-7717
- Producentens varenummer:
- ZVN4206ASTZ
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 600mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | E-Line | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -4V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 700mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.01mm | |
| Længde | 4.77mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 600mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype E-Line | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -4V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 700mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.01mm | ||
Længde 4.77mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 600 mA 60 V Forbedring E-Line AEC-Q100 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 320 mA 100 V Forbedring E-Line AEC-Q200 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 270 mA 60 V Forbedring E-Line AEC-Q100 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 600 mA 60 V Forbedring E-Line AEC-Q100 AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 900 mA 100 V Forbedring E-Line AEC-Q101 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 260 mA 240 V Forbedring E-Line AEC-Q100 AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 230 mA 100 V Forbedring E-Line AEC-Q101 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type P-Kanal 280 mA 60 V Forbedring E-Line AEC-Q101