onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 671-0312P
- Producentens varenummer:
- 2N7002
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 309,80
(ekskl. moms)
Kr. 387,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.680 enhed(er) afsendes fra 27. august 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 09. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 200 - 480 | Kr. 1,549 |
| 500 - 980 | Kr. 1,343 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,182 |
| 2000 + | Kr. 1,077 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0312P
- Producentens varenummer:
- 2N7002
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 115mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 223nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.93mm | |
| Længde | 2.92mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 115mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 223nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.93mm | ||
Længde 2.92mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.