onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 1.8 A 150 V Forbedring, 8 Ben, MLP, QFET
- RS-varenummer:
- 671-0387P
- Producentens varenummer:
- FDMC2523P
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 447,30
(ekskl. moms)
Kr. 559,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 8.250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 8,946 | - |
| 100 - 495 | Kr. 7,734 | 13% |
| 500 - 995 | Kr. 6,806 | 23% |
| 1000 + | Kr. 6,194 | 30% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0387P
- Producentens varenummer:
- FDMC2523P
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | QFET | |
| Emballagetype | MLP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 950μm | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie QFET | ||
Emballagetype MLP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 950μm | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
QFET® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.