onsemi N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, FDN337N
- RS-varenummer:
- 671-0429P
- Producentens varenummer:
- FDN337N
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (100 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 299,90
(ekskl. moms)
Kr. 374,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 9.240 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 2,999 |
| 250 - 490 | Kr. 2,596 |
| 500 - 990 | Kr. 2,281 |
| 1000 + | Kr. 2,079 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0429P
- Producentens varenummer:
- FDN337N
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | FDN337N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.92mm | |
| Højde | 940μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie FDN337N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.92mm | ||
Højde 940μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.