onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench Nej FDN352AP

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 21,90

(ekskl. moms)

Kr. 27,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 23.960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 2,19Kr. 21,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
671-0447
Producentens varenummer:
FDN352AP
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.3A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

180mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.4nC

Portkildespænding maks.

25 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.4 mm

Højde

0.94mm

Længde

2.92mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-33-641

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links