onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 8.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 671-0520P
- Producentens varenummer:
- FDS4685
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 308,20
(ekskl. moms)
Kr. 385,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 6.345 enhed(er) afsendes fra 24. september 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 6,164 |
| 100 - 495 | Kr. 5,326 |
| 500 - 995 | Kr. 4,682 |
| 1000 + | Kr. 4,248 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0520P
- Producentens varenummer:
- FDS4685
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Portkildespænding maks. | -20, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Portkildespænding maks. -20, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.
De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.