onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 671-0722
- Producentens varenummer:
- FDS8884
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 30,46
(ekskl. moms)
Kr. 38,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Sidste 3.110 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 3,046 | Kr. 30,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0722
- Producentens varenummer:
- FDS8884
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 8.5 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 122 A 80 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 900 mA 20 V Forbedring SOT-23, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 15 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 4.5 A 150 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 13 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 11 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench