MPN

onsemi 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.5 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

RS-varenummer:: 671-0769
Producentens varenummer:: FDS9926A
Brand:: onsemi

onsemi 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.5 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Få rabat ved storkøb

Tilføj 50 flere for at gemme 13%

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 37,62

(ekskl. moms)

Kr. 47,03

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 145 enhed(er) afsendes fra 17. november 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*	Besparelse
5 - 45	Kr. 7,524	Kr. 37,62	-
50 - 95	Kr. 6,478	Kr. 32,39	13%
100 - 495	Kr. 5,596	Kr. 27,98	25%
500 - 995	Kr. 4,936	Kr. 24,68	34%
1000 +	Kr. 4,502	Kr. 22,51	40%

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 671-0769
Producentens varenummer:: FDS9926A
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	6.5A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Serie	PowerTrench
	Emballagetype	SOIC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	30mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-10V, +10V
	Effektafsættelse maks. Pd	2W
	Gennemgangsspænding Vf	730mV
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	6.2nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Højde	1.5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5mm
	Bredde	4mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Serie PowerTrench
	Emballagetype SOIC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 30mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -10V, +10V
	Effektafsættelse maks. Pd 2W
	Gennemgangsspænding Vf 730mV
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Højde 1.5mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5mm
	Bredde 4mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor

På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.