onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 22 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, QFET
- RS-varenummer:
- 671-0879P
- Producentens varenummer:
- FQB22P10TM
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 227,40
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 861,70
(ekskl. moms)
Kr. 1.077,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- 1.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 17,234 | - |
| 100 - 495 | Kr. 14,96 | Kr. 227,40 |
| 500 + | Kr. 13,12 | Kr. 2.057,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0879P
- Producentens varenummer:
- FQB22P10TM
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | QFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 125mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -4V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.75W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie QFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 125mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -4V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.75W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 9.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Automotive P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tilbyder løsninger, der tager komplekse udfordringer på bilmarkedet op. Med en fuldkommen beherskelse af standarder inden for kvalitet, sikkerhed og pålidelighed.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.