Fairchild Semiconductor N-Kanal, MOSFET-transistor, 7,8 A 200 V, 3 ben, DPAK, QFET FQD10N20CTM

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
671-0936
Producentens varenummer:
FQD10N20CTM
Brand:
Fairchild Semiconductor
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Fairchild Semiconductor

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

7,8 A

Drain source spænding maks.

200 V

Kapslingstype

DPAK

Serie

QFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

360 mΩ

Kanalform

Enhancement

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

50 W

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

20 nC ved 10 V

Bredde

6.1mm

Antal elementer per chip

1

Længde

6.6mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

2.3mm

COO (Country of Origin):
CN

QFET® N-kanal MOSFET, 6 A til 10,9 A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.


MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links