onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, QFET

RS-varenummer:: 671-0968
Elfa Distrelec varenummer:: 304-43-729
Producentens varenummer:: FQD17P06TM
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, QFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 45,63

(ekskl. moms)

Kr. 57,04

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

8.450 enhed(er) afsendes fra 24. marts 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 9,126	Kr. 45,63
50 - 95	Kr. 7,868	Kr. 39,34
100 - 495	Kr. 6,822	Kr. 34,11
500 - 995	Kr. 5,998	Kr. 29,99
1000 +	Kr. 5,46	Kr. 27,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 671-0968
Elfa Distrelec varenummer:: 304-43-729
Producentens varenummer:: FQD17P06TM
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	12A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	QFET
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	135mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-4V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	21nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	25 V
	Effektafsættelse maks. Pd	2.5W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	6.73mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.22 mm
	Højde	2.39mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie QFET
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 135mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -4V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 25 V
	Effektafsættelse maks. Pd 2.5W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 6.73mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.22 mm
	Højde 2.39mm
	Bilindustristandarder Nej

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.