onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, QFET
- RS-varenummer:
- 671-0968P
- Producentens varenummer:
- FQD17P06TM
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 432,30
(ekskl. moms)
Kr. 540,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- 7.295 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 8,646 |
| 100 - 495 | Kr. 7,51 |
| 500 - 995 | Kr. 6,612 |
| 1000 + | Kr. 6,014 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0968P
- Producentens varenummer:
- FQD17P06TM
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | QFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 135mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie QFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 135mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Gennemgangsspænding Vf -4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor
On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.
Egenskaber og fordele:
• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal
• tætpakket celledesign
• høj mætningsstrøm
• overlegent skift
• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne
• DMOS-teknologi
Anvendelsesområder:
• Belastningsskift
• DC/DC-omformer
• Batteribeskyttelse
• Strømstyring
• styring af DC-motor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.