onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 15.6 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, QFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 42,01

(ekskl. moms)

Kr. 52,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • Plus 2.395 enhed(er) afsendes fra 28. januar 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 8,402Kr. 42,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
671-0970
Producentens varenummer:
FQD19N10LTM
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15.6A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Serie

QFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

100mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.1 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.3mm

Længde

6.6mm

Bilindustristandarder

Nej

QFET® N-kanal MOSFET, 11 A til 30 A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.

De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links