onsemi 1 N-Kanal Enkelt, MOSFET, 4.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, QFET
- RS-varenummer:
- 671-5152P
- Producentens varenummer:
- FQP5N60C
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 671-5152P
- Producentens varenummer:
- FQP5N60C
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | QFET | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30, -30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.1mm | |
| Højde | 9.4mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie QFET | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30, -30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.1mm | ||
Højde 9.4mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
QFET® N-kanal MOSFET, op til 5,9 A, Fairchild Semiconductor
FairField Semiconductors nye QFET® Planar MOSFET'er bruger avanceret, proprietær teknologi til at give bedste i klassen driftsydelse til en bred vifte af anvendelser, herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærmpaneler (PDP), belysningsforkoblinger og bevægelsesstyring.
De giver reduceret tab i tændt tilstand ved at sænke modstanden ved tændt (RDS(on)), og reduceret skiftetab ved at sænke gate-ladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET®-procesteknologi kan Fairchild tilbyde et forbedret fortjensttal (FOM) i forhold til konkurrerende Planar MOSFET-enheder.
MOSFET-transistorer, ON Semi
><
ON Semi MOSFET'er giver fremragende konstruktionspålidelighed fra reducerede spændingsspidser og overskud, til lavere samlingskapacitet og omvendt genoprettelsesladning, til eliminering af yderligere eksterne komponenter for at holde systemer oppe og køre længere.