STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH

Få rabat ved storkøb

Tilføj 500 flere for at gemme 21%

Se mængderabatter

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 345,20

(ekskl. moms)

Kr. 431,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 14.360 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Besparelse
100 - 490Kr. 3,452-
500 - 990Kr. 2,70721%
1000 - 2490Kr. 2,47428%
2500 +Kr. 2,26734%

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
687-5181P
Producentens varenummer:
STD1NK60T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-252

Serie

MDmesh, SuperMESH

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8.5Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

30W

Portkildespænding maks.

-30V, +30V

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

7nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.4mm

Længde

6.6mm

Bredde

6.2mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V til 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.