STMicroelectronics Type N-Kanal, MDmesh V Power MOSFET, 12 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 687-5291P
- Producentens varenummer:
- STF16N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 687-5291P
- Producentens varenummer:
- STF16N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MDmesh V Power MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.299Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.3mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MDmesh V Power MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.299Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.3mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.