STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-varenummer:
- 687-5311
- Producentens varenummer:
- STP80NF10FP
- Brand:
- STMicroelectronics
Tilføj 20 flere for at gemme 18%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 41,14
(ekskl. moms)
Kr. 51,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 2 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 482 enhed(er) afsendes fra 12. november 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 20,57 | Kr. 41,14 | - |
| 20 - 98 | Kr. 16,745 | Kr. 33,49 | 18% |
| 100 - 198 | Kr. 12,755 | Kr. 25,51 | 37% |
| 200 + | Kr. 11,315 | Kr. 22,63 | 44% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-5311
- Producentens varenummer:
- STP80NF10FP
- Brand:
- STMicroelectronics
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | STripFET II | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 135nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 9.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie STripFET II | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 135nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 9.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics 1 N-Kanal Enkelt 80 A 55 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
