STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- RS-varenummer:
- 687-5355
- Producentens varenummer:
- STW5NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 67,32
(ekskl. moms)
Kr. 84,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 16 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.004 enhed(er) afsendes fra 24. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | Kr. 33,66 | Kr. 67,32 |
| 4 + | Kr. 32,015 | Kr. 64,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-5355
- Producentens varenummer:
- STW5NK100Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.7Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.15mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.7Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.15mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 1 kV Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8.3 A 1 kV Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 1 kV Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3.5 A 1 kV Forbedring TO-220
- IXYS Type N-Kanal 18 A 1 kV Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 92 A Forbedring TO-247, STW
- STMicroelectronics Type N-Kanal 56 A Forbedring TO-247, STW
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 1 kV Forbedring TO-247, IRFP