STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4.3 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 687-5358
- Producentens varenummer:
- STP5NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 102,33
(ekskl. moms)
Kr. 127,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 35 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 70 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 20,466 | Kr. 102,33 |
| 10 - 20 | Kr. 18,40 | Kr. 92,00 |
| 25 - 95 | Kr. 17,354 | Kr. 86,77 |
| 100 - 495 | Kr. 13,644 | Kr. 68,22 |
| 500 + | Kr. 11,55 | Kr. 57,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-5358
- Producentens varenummer:
- STP5NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4.3 A 800 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4.3 A 800 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, STP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 800 V Forbedring TO-220, STP80N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, STP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 800 V Forbedring TO-220, STP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, MDmesh