onsemi N-Kanal, MOSFET, 3.2 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 688-9146
- Producentens varenummer:
- NTR4501NT1G
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 60 flere for at gemme 7%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 6,36
(ekskl. moms)
Kr. 7,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 274 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
- Plus 1.844 enhed(er) afsendes fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 58 | Kr. 3,18 | Kr. 6,36 | - |
| 60 - 118 | Kr. 2,955 | Kr. 5,91 | 7% |
| 120 - 198 | Kr. 2,545 | Kr. 5,09 | 19% |
| 200 - 498 | Kr. 2,43 | Kr. 4,86 | 23% |
| 500 + | Kr. 2,32 | Kr. 4,64 | 27% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-9146
- Producentens varenummer:
- NTR4501NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Portkildespænding maks. | -12V, +12V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 940μm | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Portkildespænding maks. -12V, +12V | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 940μm | ||
Bredde 1.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal Power MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 3.2 A 20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 560 mA 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 2.5 A 30 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 200 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS138L AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 220 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS138K AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002K AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 320 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2V7002K AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 200 mA 50 V Forbedring SOT-23, BVSS13L AEC-Q101
