Vishay P-Kanal, MOSFET-transistor, 4.7 A 20 V, 6 ben, TSOP Si3443CDV-T1-E3

Brand

Vishay

Kanaltype

P

Drain-strøm kontinuerlig maks.

4.7 A

Drain source spænding maks.

20 V

Kapslingstype

TSOP

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

6

Drain source modstand maks.

60 mΩ

Kanalform

Enhancement

Mindste tærskelspænding for port

0.6V

Effektafsættelse maks.

2000 mW

Gate source spænding maks.

-12 V, +12 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

7,53 nC ved 4,5 V, 8,26 nC ved 5 V

Længde

3.05mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Bredde

1.65mm

Antal elementer per chip

1

Højde

1mm

Driftstemperatur min.

-55 °C