Vishay N-Kanal, MOSFET, 19 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 14,80

(ekskl. moms)

Kr. 18,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.615 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
5 +Kr. 2,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-4736P
Producentens varenummer:
SI4840BDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.012Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

6W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Højde

1.55mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.