Vishay N-Kanal, MOSFET, 6.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, Si7850DP

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 861,70

(ekskl. moms)

Kr. 1.077,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 120Kr. 17,234
125 - 245Kr. 15,004
250 - 495Kr. 12,372
500 +Kr. 9,768

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-4764P
Producentens varenummer:
SI7850DP-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SO-8

Serie

Si7850DP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.04mm

Længde

4.9mm

Bredde

5.89mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.