STMicroelectronics Enkelt N-Kanal, RF MOSFET, 2.5 A 40 V Forbedring, 14 Ben, PowerFLAT, PD55003L-E
- RS-varenummer:
- 714-6771P
- Producentens varenummer:
- PD55003L-E
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 1%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 374,40
(ekskl. moms)
Kr. 468,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 37,44 | - |
| 100 - 499 | Kr. 36,99 | 1% |
| 500 - 2999 | Kr. 36,54 | 2% |
| 3000 + | Kr. 36,11 | 3% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 714-6771P
- Producentens varenummer:
- PD55003L-E
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Driftsfrekvens | 500MHz | |
| Produkttype | RF MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | PD55003L-E | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 14 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 880μm | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Effektforstærkning typisk | 19dB | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Driftsfrekvens 500MHz | ||
Produkttype RF MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie PD55003L-E | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 14 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 880μm | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Effektforstærkning typisk 19dB | ||
RF MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
LDMOS radiofrekvenstransistorer er velegnet til L-bånds satellit uplinks og DMOS effekttransistorer til anvendelser, der spænder fra 1 MHz til 2 GHz.