onsemi N-Kanal, MOSFET, 5,5 A 500 V, 3 ben, IPAK (TO-251) NDD05N50Z-1G
- RS-varenummer:
- 719-2803P
- Producentens varenummer:
- NDD05N50Z-1G
- Brand:
- onsemi
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 719-2803P
- Producentens varenummer:
- NDD05N50Z-1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 5, 5 A | |
| Drain source spænding maks. | 500 V | |
| Kapslingstype | IPAK (TO-251) | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 1, 5 Ω | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 117 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 18, 5 nC ved 10 V | |
| Bredde | 2.38mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 7.62mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 5, 5 A | ||
Drain source spænding maks. 500 V | ||
Kapslingstype IPAK (TO-251) | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 1, 5 Ω | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4.5V | ||
Effektafsættelse maks. 117 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 6.73mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 18, 5 nC ved 10 V | ||
Bredde 2.38mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 7.62mm | ||