Nexperia 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 870 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- RS-varenummer:
- 725-8329P
- Producentens varenummer:
- PMGD280UN,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (100 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 170,60
(ekskl. moms)
Kr. 213,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.140 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 180 | Kr. 1,706 |
| 200 + | Kr. 1,519 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-8329P
- Producentens varenummer:
- PMGD280UN,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 870mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 340mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Portkildespænding maks. | -8, +8V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.89nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 870mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 340mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Portkildespænding maks. -8, +8V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.89nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.35mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY