Infineon N-Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 200 enheder (leveres på en rulle)*

Kr. 820,60

(ekskl. moms)

Kr. 1.025,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.060 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
  • Plus 4.920 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
200 - 480Kr. 4,103
500 +Kr. 3,65

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
737-7225P
Producentens varenummer:
IRLML6344TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

37mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

12V

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.04mm

Bredde

1.4mm

Højde

1.02mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 5A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 30V maksimal drænkildespænding - IRLML6344TRPBF


Denne MOSFET er en højtydende N-kanals overflademonteret enhed, der er velegnet til forskellige anvendelser i elektronik- og automationssektoren. Den er designet i en kompakt SOT-23-pakke og måler 3,04 mm i længden, 1,4 mm i bredden og 1,02 mm i højden. Den har en fremragende termisk ydeevne med et driftstemperaturområde på -55 °C til +150 °C.

Egenskaber og fordele


• Giver en kontinuerlig afløbsstrøm på 5A for robust ydeevne

• Maksimal drain-source-spænding på 30 V understøtter forskellige krav

• Lav RDS(on) på 29mΩ ved VGS = 4,5V reducerer effekttab

• Bredt gate-tærskelspændingsområde muliggør fleksibel drift

• Effektivt strømforbrug på 1,3 W øger pålideligheden

Anvendelser


• Ideel til mikrocontroller-belastningsskift i elektroniske systemer

• Bruges i strømstyringsløsninger til bilindustrien

• Effektiv i DC-DC-konvertere til effektiv energiomdannelse

• Velegnet til batteristyringssystemer for at forbedre ydeevnen

• Effektiv i motorstyringskredsløb til automatiseringsopgaver

Hvad er betydningen af den lave RDS(on)-værdi?


Den lave RDS(on)-værdi indikerer lavere ledningstab, hvilket betyder bedre effektivitet, især i applikationer med høj strøm. Denne egenskab er afgørende for at reducere varmeudviklingen i effektelektronik.

Hvilket spændingsområde kan anvendes på gate-source-overgangen?


Den maksimale gate-source-spænding er ±12V, hvilket giver fleksibilitet i køreforholdene og samtidig sikrer enhedens integritet inden for de nominelle grænser.

Hvordan klarer enheden sig under høje temperaturer?


Med en maksimal driftstemperatur på +150 °C er MOSFET'en bygget til at modstå barske miljøer, hvilket sikrer pålidelig funktionalitet i krævende applikationer.

Hvilke fordele giver det overflademonterede design?


SOT-23-overflademonteringsdesignet giver mulighed for kompakte kredsløbslayouts og forbedrer den termiske styring, hvilket gør den ideel til moderne elektroniske samlinger.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.