Semelab Enkelt N-Kanal, METAL Gate RF Silikone FET, 2 A 65 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TetraFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 2 enheder (leveres i en pose)*

Kr. 953,40

(ekskl. moms)

Kr. 1.191,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
2 - 9Kr. 476,70
10 - 14Kr. 462,19
15 - 24Kr. 457,33
25 +Kr. 452,39

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
738-7711P
Producentens varenummer:
D2020UK
Brand:
Semelab
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Semelab

Driftsfrekvens

1GHz

Produkttype

METAL Gate RF Silikone FET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Udgangseffekt

5W

Drain source spænding maks. Vds

65V

Emballagetype

SOIC

Serie

TetraFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

65°C

Driftstemperatur maks.

200°C

Transistorkonfiguration

Enkelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

5.08mm

Højde

2.18mm

Længde

4.06mm

Effektforstærkning typisk

13dB

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
GB

RF MOSFET-transistorer, Semelab


MOSFET-transistorer, Semelab


Relaterede links