onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 94 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 739-0158
- Producentens varenummer:
- FDD8896
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 53,56
(ekskl. moms)
Kr. 66,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Udgår
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 1.790 enhed(er) afsendes fra 29. januar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,712 | Kr. 53,56 |
| 50 - 95 | Kr. 9,246 | Kr. 46,23 |
| 100 - 495 | Kr. 8,004 | Kr. 40,02 |
| 500 - 995 | Kr. 7,032 | Kr. 35,16 |
| 1000 + | Kr. 6,402 | Kr. 32,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 739-0158
- Producentens varenummer:
- FDD8896
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 94A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 94A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Automotive N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor tilbyder løsninger, der tager komplekse udfordringer på bilmarkedet op. Med en fuldkommen beherskelse af standarder inden for kvalitet, sikkerhed og pålidelighed.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 94 A 30 V Forbedring TO-252, PowerTrench Nej
- onsemi Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench Nej
- onsemi Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench Nej FDD4141
- onsemi Type N-Kanal 14 A 150 V Forbedring TO-252, PowerTrench Nej
- onsemi Type N-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench Nej
- onsemi Type N-Kanal 26 A 150 V Forbedring TO-252, PowerTrench Nej
- onsemi Type N-Kanal 145 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench Nej
- onsemi Type N-Kanal 21 A 150 V Forbedring TO-252, PowerTrench Nej