DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Helbro, MOSFET, 850 mA 100 V Forbedring, 8 Ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 751-5332P
- Producentens varenummer:
- ZXMHC10A07N8TC
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 369,50
(ekskl. moms)
Kr. 462,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 + | Kr. 7,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 751-5332P
- Producentens varenummer:
- ZXMHC10A07N8TC
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 850mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.36W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 950mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.9nC | |
| Transistorkonfiguration | Helbro | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 850mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.36W | ||
Gennemgangsspænding Vf 950mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.9nC | ||
Transistorkonfiguration Helbro | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 5mm | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN