Infineon N-Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Forbedring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 754-5389P
- Producentens varenummer:
- BSZ520N15NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 282,00
(ekskl. moms)
Kr. 352,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 17.832 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 14,10 |
| 50 - 98 | Kr. 13,09 |
| 100 - 198 | Kr. 12,155 |
| 200 + | Kr. 11,145 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 754-5389P
- Producentens varenummer:
- BSZ520N15NS3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.