onsemi N-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 759-8927P
- Producentens varenummer:
- FDB035AN06A0
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 344,80
(ekskl. moms)
Kr. 431,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 34,48 |
| 100 - 499 | Kr. 29,92 |
| 500 + | Kr. 26,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 759-8927P
- Producentens varenummer:
- FDB035AN06A0
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.25V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 95nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 310W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 11.33mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.25V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 95nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 310W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 11.33mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, over 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.