onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PQFN-8, UltraFET Nej FDMS2572

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 25,55

(ekskl. moms)

Kr. 31,938

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 12,775Kr. 25,55
20 - 198Kr. 11,01Kr. 22,02
200 - 998Kr. 9,545Kr. 19,09
1000 - 1998Kr. 8,405Kr. 16,81
2000 +Kr. 7,66Kr. 15,32

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
759-9140
Producentens varenummer:
FDMS2572
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

PQFN-8

Serie

UltraFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

103mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

31nC

Effektafsættelse maks. Pd

78W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

0.75mm

Bredde

6 mm

Bilindustristandarder

Nej

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFET kombinerer egenskaber, der muliggør benchmark effektivt i strømkonverteringsprogrammer. Enheden kan modstå høj energi i avalanche-tilstand, og dioden fremviser meget lav omvendt genopretningstid og oplagret spænding. Optimeret til effektivitet ved høje frekvenser, laveste RDS(on), lav ESR og lav total og Miller gate-opladning.

Anvendelse i højfrekvente DC til DC konvertere, switching-regulatorer, motorstyringer, lavspændings bus-kontakter og strømstyring.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links