onsemi N-Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PQFN-8, UltraFET
- RS-varenummer:
- 759-9140
- Producentens varenummer:
- FDMS2572
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 51,46
(ekskl. moms)
Kr. 64,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- 1.588 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 25,73 | Kr. 51,46 |
| 20 - 198 | Kr. 22,18 | Kr. 44,36 |
| 200 - 998 | Kr. 19,26 | Kr. 38,52 |
| 1000 - 1998 | Kr. 16,865 | Kr. 33,73 |
| 2000 + | Kr. 15,335 | Kr. 30,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 759-9140
- Producentens varenummer:
- FDMS2572
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | UltraFET | |
| Emballagetype | PQFN-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 103mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Portkildespænding maks. | -20, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 78W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie UltraFET | ||
Emballagetype PQFN-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 103mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Portkildespænding maks. -20, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 78W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET kombinerer egenskaber, der muliggør benchmark effektivt i strømkonverteringsprogrammer. Enheden kan modstå høj energi i avalanche-tilstand, og dioden fremviser meget lav omvendt genopretningstid og oplagret spænding. Optimeret til effektivitet ved høje frekvenser, laveste RDS(on), lav ESR og lav total og Miller gate-opladning.
Anvendelse i højfrekvente DC til DC konvertere, switching-regulatorer, motorstyringer, lavspændings bus-kontakter og strømstyring.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.