onsemi N-Kanal, MOSFET, 25 A 600 V, 3 ben, TO-247, SupreMOS FCH25N60N
- RS-varenummer:
- 759-9443P
- Producentens varenummer:
- FCH25N60N
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 376,20
(ekskl. moms)
Kr. 470,20
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 49 | Kr. 37,62 |
| 50 - 149 | Kr. 35,60 |
| 150 - 299 | Kr. 32,61 |
| 300 + | Kr. 30,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 759-9443P
- Producentens varenummer:
- FCH25N60N
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 25 A | |
| Drain source spænding maks. | 600 V | |
| Serie | SupreMOS | |
| Kapslingstype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 126 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 216 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Længde | 15.87mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 57 nC ved 10 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Højde | 20.82mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 25 A | ||
Drain source spænding maks. 600 V | ||
Serie SupreMOS | ||
Kapslingstype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 126 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 216 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Bredde 4.82mm | ||
Længde 15.87mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 57 nC ved 10 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Højde 20.82mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN