onsemi N-Kanal, MOSFET, 2.7 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 759-9651P
- Producentens varenummer:
- FDN8601
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 151,80
(ekskl. moms)
Kr. 189,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 3,036 |
| 100 - 495 | Kr. 2,632 |
| 500 - 995 | Kr. 2,318 |
| 1000 + | Kr. 2,124 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 759-9651P
- Producentens varenummer:
- FDN8601
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 183mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 1.4mm | |
| Højde | 0.94mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.92mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 183mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 1.4mm | ||
Højde 0.94mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.92mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.