STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh Nej STP24NM60N
- RS-varenummer:
- 760-9679
- Producentens varenummer:
- STP24NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 23,94
(ekskl. moms)
Kr. 29,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 23,94 |
| 5 - 9 | Kr. 22,81 |
| 10 - 24 | Kr. 20,50 |
| 25 - 49 | Kr. 18,48 |
| 50 + | Kr. 17,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-9679
- Producentens varenummer:
- STP24NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.75mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.75mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh Nej STF24NM60N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh Nej STB24NM60N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, MDmesh Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M5 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.5 A 650 V Forbedring TO-220, MDmesh M2 Nej