STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- RS-varenummer:
- 760-9904
- Producentens varenummer:
- STD40NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 37%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 72,63
(ekskl. moms)
Kr. 90,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.355 enhed(er) afsendes fra 12. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,526 | Kr. 72,63 | - |
| 50 - 245 | Kr. 9,05 | Kr. 45,25 | 37% |
| 250 - 495 | Kr. 6,90 | Kr. 34,50 | 52% |
| 500 + | Kr. 6,174 | Kr. 30,87 | 57% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-9904
- Producentens varenummer:
- STD40NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | STripFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie STripFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 24 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 16 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 30 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-252, STripFET