STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- RS-varenummer:
- 760-9904
- Producentens varenummer:
- STD40NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,04
(ekskl. moms)
Kr. 63,80
(inkl. moms)
Tilføj 60 enheder for at opnå gratis levering
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 10,208 | Kr. 51,04 |
| 10 - 95 | Kr. 8,628 | Kr. 43,14 |
| 100 - 495 | Kr. 6,534 | Kr. 32,67 |
| 500 - 995 | Kr. 5,53 | Kr. 27,65 |
| 1000 + | Kr. 4,428 | Kr. 22,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-9904
- Producentens varenummer:
- STD40NF10
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | STripFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.4mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie STripFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.4mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 50 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 24 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 30 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET