STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-varenummer:
- 760-9972
- Producentens varenummer:
- STP10NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 127,91
(ekskl. moms)
Kr. 159,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 15 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 870 enhed(er) afsendes fra 11. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 25,582 | Kr. 127,91 | - |
| 50 - 120 | Kr. 22,052 | Kr. 110,26 | 13% |
| 125 + | Kr. 17,294 | Kr. 86,47 | 32% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 760-9972
- Producentens varenummer:
- STP10NM60N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MDmesh | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 550mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.75mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MDmesh | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 550mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.75mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 6.5 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220 SuperMESH