STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 12 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-varenummer:
- 761-0011
- Producentens varenummer:
- STP14NM50N
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme Kr. 44,80
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 28,72
(ekskl. moms)
Kr. 35,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 120 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 28,72 | - |
| 10 - 99 | Kr. 24,24 | Kr. 44,80 |
| 100 - 499 | Kr. 19,60 | Kr. 912,00 |
| 500 - 999 | Kr. 17,43 | Kr. 5.645,00 |
| 1000 + | Kr. 14,74 | Kr. 13.980,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0011
- Producentens varenummer:
- STP14NM50N
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 320mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 320mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 21 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 7.2 A 500 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 6.5 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh