STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 761-0402P
- Producentens varenummer:
- STB42N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 1%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 513,70
(ekskl. moms)
Kr. 642,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.858 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 51,37 | - |
| 100 - 999 | Kr. 50,74 | 1% |
| 1000 + | Kr. 50,13 | 2% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0402P
- Producentens varenummer:
- STB42N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 79mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Længde | 10.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 79mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 10.4mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Længde 10.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.