STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 2.5 A 1.5 kV Forbedring, 3 Ben, TO-3PF, MDmesh
- RS-varenummer:
- 761-0493
- Producentens varenummer:
- STFW3N150
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme 36%
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 30,44
(ekskl. moms)
Kr. 38,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 69 enhed(er) afsendes fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 30,44 | - |
| 10 - 99 | Kr. 19,26 | 36% |
| 100 + | Kr. 19,02 | 37% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 761-0493
- Producentens varenummer:
- STFW3N150
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.5kV | |
| Serie | MDmesh | |
| Emballagetype | TO-3PF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29.3nC | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.7mm | |
| Bredde | 5.7mm | |
| Højde | 26.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.5kV | ||
Serie MDmesh | ||
Emballagetype TO-3PF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29.3nC | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.7mm | ||
Bredde 5.7mm | ||
Højde 26.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 2.5 A 1.5 kV Forbedring TO-3PF, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 2.5 A 1.5 kV Forbedring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 2.5 A 1.5 kV Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 58 A 710 V Forbedring TO-3PF, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 2.5 A 1 kV Forbedring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 1.5 kV Forbedring TO-3PF, STFW4
- STMicroelectronics N-Kanal 2.5 A 1.5 kV Forbedring H2PAK, MDmesh
- STMicroelectronics N-Kanal 4 A 1.5 kV Forbedring TO-220, MDmesh